電子級高純氣體管路介紹

電(dian)子、光(guang)電(dian)子和生物制藥等行業對傳輸敏感或腐蝕性介質的(de)高純(chun)、潔(jie)凈(jing)管道系統一(yi)般都采用光(guang)亮(liang)退(tui)火(huo)（BA）、酸洗(xi)或鈍(dun)化(hua)（AP）、電(dian)解(jie)拋光(guang)（EP）及真空二次溶解(jie)（VIM+VAR）產(chan)品。

A.電(dian)解拋光（Electro-Polished）簡稱EP。通過電(dian)化(hua)學拋光，可(ke)以極大地(di)提高表面(mian)形態及(ji)結構(gou)，使表層實際(ji)面(mian)積(ji)得(de)到的(de)減少(shao)。表面(mian)是一層封閉(bi)的(de)、厚厚的(de)氧化(hua)鉻膜，能(neng)量(liang)(liang)接近(jin)合金(jin)的(de)正常水平，同時介(jie)質數量(liang)(liang)也會(hui)降(jiang)為少(shao)--通常適用于電(dian)子(zi)級高純氣體(ti)。

B.光亮退火(huo)（Bright Annealing）簡稱BA。在加氫(qing)或真空狀態(tai)高溫熱處理，一方面(mian)內(nei)部應力，另一方面(mian)在管道表面(mian)形(xing)成一層鈍(dun)化膜，以改(gai)善形(xing)態(tai)結構(gou)，減(jian)少能量水平，但不會提高表面(mian)粗糙(cao)度(du)--通常適用于GN2，CDA,以及(ji)非工藝的惰性氣體。

C.酸(suan)洗(xi)(xi)或鈍(dun)化（Pickled & Passivated/Chemically Polished）簡稱AP和CP。管(guan)道(dao)(dao)經過酸(suan)洗(xi)(xi)或鈍(dun)化，不會(hui)提(ti)高表面(mian)粗糙度，但可去除表面(mian)殘存的(de)顆粒，降低能量水平(ping)，但不會(hui)減少(shao)介層(ceng)數量--通常使用(yong)于工業級管(guan)道(dao)(dao)。

D.真空二次(ci)溶解潔凈管(guan)Vim(Vacuum Induction Melting)+Var(Vacuum ArcRemelting)簡稱V+V，為(wei)住友金(jin)屬專利產品，經過真空狀態下電(dian)弧條件下再次(ci)處理(li)，有(you)效提高了耐(nai)腐蝕(shi)性及表面粗糙度--通常適用在腐蝕(shi)性較強之高純電(dian)子級(ji)氣體上，如：BCL3，WF6，CL2，HBr等

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